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Este Cmap, tiene información relacionada con: Propiedades eléctricas del Silicio, "magnetron sputtering" tiene como propósito producir películas de silicio cristalino dopado con B o P en las obleas de silicio, producir películas de silicio cristalino dopado con B o P en las obleas de silicio hay diferencias entre el silicio dopado con B o P, diferencias entre el silicio dopado con B o P como que "dark conductivity" y concentración de portadores es mayor en el dopado con B, - Recocido térmico rápido (RTA) se usa para inducir el silicio amorfo a cristalizar y a activar los átomos de B o P, "magnetron sputtering" para aumentar "dark conductivity" y fracción de cristalinidad -Aumentar el grosor de las películas -Aumentar la temperatura en el RTA hasta 1100°C - Incorporar 5% H2 en Ar durante el RTA, la diferencia de energía de activación que fue 0,79 eV para el Fósforo, una forma fácil y no tóxica para dopar láminas delgadas de Silicio con fósforo y boro la cual es "magnetron sputtering", bombardear con argón un blanco de silicio altamente dopado para que se desprendan partículas y se adhieran en forma de película al sustrato (oblea), producir películas de silicio cristalino dopado con B o P en las obleas de silicio el proceso consiste en -Pulverización catódica con magnetrón ("magnetron sputtering"), "dark conductivity" y concentración de portadores es mayor en el dopado con B que es por causa de la diferencia de energía de activación, -Pulverización catódica con magnetrón ("magnetron sputtering") se trata de bombardear con argón un blanco de silicio altamente dopado, la diferencia de energía de activación que fue 0,23 eV para el Boro, "magnetron sputtering" que tiene como ventajas -Reducción de la temperatura de deposición -eliminación de gases tóxicos -Posibilidad de controlar la cantidad de H2 en las películas de silicio -capacidad de pre-dopar las películas de silicio, Propiedades eléctricas del Silicio dopado con Fósforo y Boro se estudiará una forma fácil y no tóxica para dopar láminas delgadas de Silicio con fósforo y boro, Propiedades eléctricas del Silicio dopado con Fósforo y Boro se puede obener Obleas de silicio altamente dopadas con resistividad tan baja como 1mΩ cm-1, producir películas de silicio cristalino dopado con B o P en las obleas de silicio el proceso consiste en - Recocido térmico rápido (RTA)