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Este Cmap, tiene información relacionada con: Produccion Lines invest_dot, Aleaciones de GaAlN y GalN se uso energia utilizada para los parámetro BT, representa El nivel de energía de referencia que la brecha de energía directa e indirecta, la transición ocurre en x=0.60; el valor de la brecha es 4.869eV, La division S-O meV Grafico, un valor de 4.88eV representan los intervalos de bandas en los puntos r, x, L en fraccción de funcion molar de Alx, Las aleaciones de Ga1-xln xN forman parte para la fabricacion de detectores UV, SP3 y s* se tomo la interacción de los primero vecinos y se obtuvo bandas de conducción en "x", energia utilizada para los parámetro BT para Ga1-x Al x N, Las aleaciones de Ga1-xln xN forman parte para el control de ritema (quemaduras solares de la piel), los intervalos de bandas en los puntos r, x, L en fraccción de funcion molar de Alx Grafico, hamiltoniano para la union estrecha TB con una base orbital SP3 y s*, Estructura de bandas electronicas para la aleación Ga1xAl x N Espacio indirecto en x La division S-O meV, Estructura de bandas relacionados directamente con Aleaciones de GaAlN y GalN, Ga1-x Al x N Para GaAl Bandas, Ga1-x Al x N para el GaN Bandas, Estructura de bandas electronicas para la aleación Ga1xAl x N Espacio indirecto en x un valor de 4.88eV, Aleaciones de GaAlN y GalN se uso hamiltoniano para la union estrecha TB, Aleaciones de GaAlN y GalN se uso Estructura de bandas electronicas para la aleación Ga1xAl x N, Aleaciones de GaAlN y GalN se uso Las aleaciones de Ga1-xln xN, Ga1-x Al x N datos en Tabla 1, SP3 y s* se tomo segundo vecinos y se obtuvo bandas de conduccion en "L"